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第五百九十一章 反击之前(3 / 4)

英寸的磁盘之时,陆少华的内心却是另一种想法,是阿,经过前世的陆少华用的都是u盘,现在突然拿着一块软盘,自然是百感交集了。

仔细回想一下,好像这个时间的u盘并没有出现,陆少华心里顿时有了主意,跑进书房里,并没有拿软盘里面的三个广告方案,而是拿起一张纸和一支笔刷刷的写着什么。

陆少华写的不是别的,正是对u盘的设想,没办法,陆少华的前世是一个网吧的技术主管,对软件方面可以还有一些了解,可u盘这东西可是硬件方面的技术,陆少华也只能把自己设想和u盘的作用写下来,然后再让深圳那边的凤凰基地去研究开发出来了。

陆少华对硬件方面虽然不是很熟悉,但对u盘的原理还是知道的,而这个原理正是u盘是否能出现的关键,陆少华就把原理写下来,然后让发去深圳,可以让那边尽快的研发出来。

其实u盘的原理非常的简单。计算机把二进制数字信号转为复合二进制数字信号(加入分配、核对、堆栈等指令)读写到usb芯片适配接口,通过芯片处理信号分配给eeprom存储芯片的相应地址存储二进制数据,实现数据的存储。

而eprom数据存储器,其控制原理是电压控制栅晶体管的电压高低值,栅晶体管的结电容可长时间保存电压值,断电后能保存数据的原因主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅。

在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。

而数据是0或1则取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0,无电子为1。闪存就如同其名字一样,写入前删除数据进行初始化。

具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。写入时只有数据为0时才进行写入,数据为1时则什么也不做。写入0时,向栅电极和漏极施加高电压,增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来,电子就会突破氧化膜绝缘体,进入浮动栅。读取数据时,向栅电极施加一定的电压,电流大为1,电流小则定为0。

浮动栅没有电子的状态(数据为1)下,在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压,源极和漏极之间由于大量电子的移动,就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态(数据为0)下,沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后,很难对沟道产生影响。

花了半个小时的时间写完了

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