据,浸入式光刻机,可以说属于轻微地改进,能产生巨大的经济效应,其光刻机的产品成熟度是非常高的,
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不过,顺便说一下,由米国组织euvllc联盟,是在2003年,这个euvllc联盟解散,也就是说,这个联盟只是存在了6年。
当时尼康光刻机是没有进入euv联盟,米国认为这是米国的高科技,怎么能分兴给外国企业…。
具体原因还是当时米国半导体,甚至是光刻机svg公司、被曰本公司,尼康公司打得落花流水,所以,担心曰本企业强大,米国拒绝尼康公司加入euv协会…。
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虽然说,asml加入euv联盟,但是,并没有立即研发出euv光刻机
因为在90年代,asml还是一家小公司,每年的盈利是非常少,而研发euv光刻机,其每年研发的费用高达10亿美金,所以,在90年代,asml根本没有实力研发euv光刻机,
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而是跟随尼康光刻机的脚步,也从事157nm研发,asml收购米国光刻机svg公司,获取了反射技术,2003年出品了157nm机器…,很显然,在最后,不论技术,还是成本完败于低成本的浸入式193nm。
不过,根据21世纪网络新闻记载,在2002年,台积电公司林本坚,在一次技术研讨会上提出了浸入式193nm的方案,
随后,林本坚带着浸入式193nm的方案,跑遍米国,曰本,德国光刻机公司,说服大厂们采用“浸入式光刻”方案,基本都是被拒绝。因为以上的公司正在研发157nm,那么。现在研发浸入式193nm,就意味着之前的巨量研发都打水漂,
最后,林本坚找到asml,由于当时asml公司在光刻机占有率很少,所以,决定了研发浸入式193nm,
asml在一年的时间内就开发出样机,充分证明了该方案的工程技术和成本,远远优于157nmf2…。
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就这样,asml正式一步步成为光刻机第一,并且,积累了原始的资金后,asml正式在2007年,启动euv光刻机研发,
在3年后,也就说2010年诞生的第一台euv光刻机的研发用样机:nxe3100。
2012年,asml请英特尔、三星和台积电入股,希望大家共同承担euv光刻机研发工程,因为每年的euv光刻机的研发费用,需要每年10亿欧元。
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虽然说